Pb thin films on Si(111): Local density of states and defects

机译：Si（111）上的Pb薄膜：状态和缺陷的局部密度

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Local density of states and atomic structure of the stripped incommensurate phase, the √3 x√7 phase and the 1 x 1 phase of a monolayer of Pb on Si(111) are characterized by scanning tunneling microscopy and spectroscopy. The dI/dV-images reveal congruent local density of states structures for the stripped incommensurate and the √3 x√ phase but suggest a hexagonal lattice of the local density of states for the 1x1 phase while the atomic structure consists of one more atom in the center of each hexagon. Vacancy defects and impurities show a depletion of local density of states for the stripped incommensurate and √3 x√7 phase. Vacancies and impurities show an increase and no clear depletion in local density of states for the 1 x 1 phase, respectively.

机译：通过扫描隧道显微镜和光谱法表征了Si（111）上Pb单层的不相称相，√3x√7相和1 x 1相的局部状态密度和原子结构。 dI / dV图像揭示了剥离的不相称和√3x√相的状态结构的全同局部密度，但暗示了1x1相的局部状态的六边形晶格，而原子结构中又有一个原子组成。每个六角形的中心。空位缺陷和杂质显示了剥离的不相称和√3x√7相的局部状态密度的耗尽。对于1 x 1相，空位和杂质分别显示出局部状态密度的增加和明显减少。

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作者
Eilers, Stefan; Du, Yi; Dou, S X;
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年度 2014
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